Mosfet транзистор IRF1010E

новые мосфет транзисторы IRF1010E Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 84 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 130(max) nC Время нарастания (tr): 78 ns Выходная емкость (Cd): 690 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm транзисторы новые и проверены на транзистор тестере